ВЧ МОП-транзисторы MHT1008NT1.
| Id — непрерывный ток утечки | 154 mA |
| Pd — рассеивание мощности | 48.1 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 500 mV, 65 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 12.5 W |
| Другие названия товара № | 935320685515 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 2.45 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | PLD-1.5W |
| Усиление | 18.6 dB |
| Чувствительный к влажности | Yes |
