Ускорьте выход на рынок, сократите затраты и улучшите производительность устройств за счет использования высокопроизводительных эпитаксиальных пластин SiC от Coherent диаметром до 200 мм.
Coherent предлагает комплексное решение для материалов SiC с варианты для толстых слоев с буфером или без него, низколегированных слоев, многослойных структур, pn-переходов, встроенных/скрытых структур, контактных слоев и многого другого. Мы поддерживаем исследования и разработки для массового производства.
Технические характеристики
Современная технология эпитаксии SiC
Рекордно низкая плотность дефектов благодаря эффективной технологии буферного слоя
Предотвращает зарождение кристаллических дефектов в начале роста
Коэффициент преобразования BPD в TED >,99,8% → 1 BPD на см2
Реализует технологию биполярных устройств SiC
Лучшая в своем классе однородность слоя благодаря LPE PE106
Регулируемые боковые потоки газа
Высокая скорость роста 40 мкм/ч с использованием TCS в качестве предшественника кремния
Выращивание толстого слоя 150 мкм и более
Низкие концентрации легирования 1×1014/см3
Делает возможным >,15 кВ технологию устройств SiC
