SRAM IS66WVE2M16EBLL-70BLI.
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время доступа | 70 ns |
| Категория продукта | Стат. ОЗУ |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение питания — макс. | 30 mA, 3.6 V |
| Напряжение питания — мин. | 2.7 V |
| Организация | 2 M x 16 |
| Подкатегория | Memory Data Storage |
| Размер памяти | 32 Mbit |
| Размер фабричной упаковки | 480 |
| Серия | IS66WVE2M16EBLL |
| Тип | Asynchronous |
| Тип интерфейса | Parallel |
| Тип памяти | SDR |
| Тип продукта | SRAM |
| Торговая марка | ISSI |
| Упаковка / блок | TFBGA-48 |
| Access Time | 70ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | PSRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 32Mb (2M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 48-TFBGA |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 48-TFBGA (6×8) |
| Technology | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Voltage — Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time — Word, Page | 70ns |
| Вес, г | 0.086 |
