IC: память DRAM; 4Mx16бит; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C; туба
| Максимальная рабочая температура | +85 °C |
| Длина | 22.42мм |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 3 В |
| Производитель | ISSI |
| Объем памяти | 64Мбит |
| Тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Максимальное время произвольного доступа | 5.4нс |
| Ширина шины данных | 16бит |
| Ширина | 10.29мм |
| Скорость передачи данных | 143МГц |
| Организация | 4М x 16 бит |
| Высота | 1.05мм |
| Ширина адресной шины | 14бит |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 3,6 В |
| Число контактов | 54 |
| Размеры | 22.42 x 10.29 x 1.05мм |
| Количество слов | 4м |
| Количество бит на слово | 16бит |
| Brand | ISSI |
| Automotive | No |
| Chip Density (bit) | 64M |
| DRAM Type | SDRAM |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Interface Type | LVTTL |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Access Time (ns) | 5.4 |
| Maximum Clock Rate (MHz) | 143 |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 3.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 3 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Bits/Word (bit) | 16 |
| Number of I/O Lines (bit) | 16 |
| Number of Internal Banks | 4 |
| Number of Words per Bank | 1M |
| Operating Current (mA) | 70 |
| Organization | 4Mx16 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 54 |
| Pin Count | 54 |
| PPAP | No |
| Process Technology | CMOS |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | TSOP-II |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Typical Operating Supply Voltage (V) | 3.3 |
| Вес, г | 5.088 |
