Инвертированный эмиссионный микроскоп — это система анализа обратной стороны, предназначенная для определения мест отказа путем обнаружения света и тепла, излучаемых дефектами в полупроводниковых устройствах. Обнаружение сигнала с обратной стороны облегчает использование зонда и карты зонда на поверхности пластины, а установка образца может быть выполнена плавно. Платформа, на которой можно установить несколько детекторов и лазеров, позволяет выбрать оптимальный детектор для выполнения различных методов анализа, таких как анализ излучения света и тепловыделения, анализ ИК-ОБИРЧ и другие, кроме того, позволяя эффективно выполнять динамический анализ при подключении тестера. . ●iPHEMOS-DD При прямом подключении к тестеру LSI можно уменьшить задержку сигнала из-за длины соединительного кабеля и сделать возможным анализ образцов высокоскоростного движения. Специальный зонд с прямой стыковкой позволяет прикреплять иглу с несколькими иглами к 300-миллиметровым пластинам, а с дополнительной опцией можно выполнять анализ упаковки, а также прикреплять иглу к игле с помощью манипулятора.
Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
| Line voltage | AC 200 V (50 Hz/60 Hz) |
|---|---|
| Power consumption | Approx. 1400 VA (Max. 3300 VA) |
| Vacuum | Approx. 80 kPa or more |
| Compressed air | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
| Dimensions/Weights | Main unit: 1980 mm (W)×1270 mm (D)×834 mm (H), Approx. 1700 kg Control rack: 880 mm (W)×700 mm (D)×1842 mm (H), Approx. 300 kg Optional desk: 1400 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 60 kg |
