Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

InGaAs PIN photodiode G12183-130K

123

Features - Cutoff wavelength: 2.57 μm - One-stage TE-cooled - Low cost - Photosensitive area: φ3 mm - Low noise - High sensitivity - High reliability - High-speed response

Артикул: G12183-130K

Технические характеристики

Photosensitive area	φ3.0 mm
Number of elements	1
Package	Metal
Package Category	TO-8
Cooling	One-stage TE-cooled
Spectral response range	0.9 to 2.57 μm
Peak sensitivity wavelength (typ.)	2.3 μm
Photosensitivity (typ.)	1.3 A/W
Dark current (max.)	90000 nA
Cutoff frequency (typ.)	0.9 MHz
Terminal capacitance (typ.)	3400 pF
Noise equivalent power (typ.)	8.5×10-13 W/Hz1/2
Measurement condition	Typ. Tc=-10 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω, Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz

G12183-130K InGaAs PIN photodiode G12183-130K — товар из ассортимента Laserzz для подбора и поставки под задачи ремонта и комплектации.

Позиция подходит для сценариев замены и закупки под конкретную спецификацию оборудования.

Для корректного выбора сверяйте маркировку, параметры и совместимость с вашей схемой/узлом.

Вопросы и ответы

Как проверить совместимость товара?

Сравните артикул, технические параметры и формат исполнения с требованиями вашей модели оборудования.

Можно ли заказать партию?

Да, для партийных закупок доступны отдельные условия, ориентируйтесь на количество и сроки поставки.