Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

InGaAs PIN photodiode G12181-203K

Features - Cutoff wavelength: 1.85 μm - Two-stage TE-cooled - Low cost - Photosensitive area: φ0.3 mm - Low noise - High sensitivity - High reliability - High-speed response

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: G12181-203K TME арт.: G12181-203K

Технические характеристики

Photosensitive areaφ0.3 mm
Number of elements1
PackageMetal
Package CategoryTO-8
CoolingTwo-stage TE-cooled
Spectral response range0.9 to 1.85 μm
Peak sensitivity wavelength (typ.)1.75 μm
Photosensitivity (typ.)1.1 A/W
Dark current (max.)0.5 nA
Cutoff frequency (typ.)150 MHz
Terminal capacitance (typ.)20 pF
Noise equivalent power (typ.)3.5×10-15 W/Hz1/2
Measurement conditionTyp. Tc=-20 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω, Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz