Микросхема PIN-фотодиода монитора InGaAs с верхней подсветкой, которая представляет собой плоский анод сверху и катод сзади. С активной площадью Φ10000 мкм и высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от 900 до 1700 нм. Применяется для контроля выходной оптической мощности с задней стороны различных светодиодов и других мониторов. Особенности Планарная структура на подложке n+ InP с верхним анодным контактом. Активная площадь Φ10000 мкм. Высокая ответственность. Низкий темновой ток. Низкое рабочее напряжение смещения. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Доступен индивидуальный размер чипа. Применение Мониторинг мощности лазера на задней грани.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
