Этот фотодиодный чип PIN-фотодиода InGaAs/InP с боковой подсветкой и большой активной площадью представляет собой планарную структуру с анодом и двойным катодом сверху. Размер области обнаружения края составляет 100 мкмX80 мкм, а более высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 980 до 1620 нм. Применяется для мониторинга выходной оптической мощности с задней стороны различных цифровых оптических коммуникаций LD, FTTH и оптических соединений. Сверху имеется связующая подушечка NPN. Обнаруживаемая область края: 100 мкмX80 мкм. Высокая ответственность. Низкий темновой ток. Низкое рабочее напряжение смещения. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Удовлетворить негерметичной упаковке. Применение Мониторинг мощности лазера на задней грани. Цифровая оптическая связь FTTH. Оптическое соединение.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
