Этот фотодиодный чип 3 ГГц имеет планарную PIN-структуру InGaAs/InP и высокочувствительный цифровой/аналоговый PD-чип 3 ГГц с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ70 мкм. Этими характеристиками являются низкий темновой ток, низкая емкость, высокая чувствительность, что обеспечивает более низкие интермодуляционные искажения второго порядка (IMD2) и составные тройные искажения (CTB), а также превосходную надежность. Применение со скоростью 2,5 Гбит/с и ниже. Оптический приемник, аналоговый оптический приемник EPON ONU и CATV. Имеет активную площадь Φ70 мкм. Высокая чувствительность и высокая линейность. Низкий темновой ток. Полоса пропускания: ≥3 ГГц. Интермодуляционные искажения второго порядка ниже (IMD2) и составные тройные искажения (CTB). Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям, указанным Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения FTTH, CATV и аналоговая система передачи. Одно- или многомодовые оптоволоконные приемники для Gigabit Ethernet, Fibre Channel и SONET/SDH. Инструментарий.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
