Этот фотодиодный чип со скоростью 2,5 Гбит/с имеет планарную PIN-структуру InGaAs/InP и цифровой фотодиодный чип с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ70 мкм. Этими особенностями являются низкий темновой ток, низкая емкость, высокая чувствительность и отличная надежность. Применение в оптическом приемнике 2,5 Гбит/с и ниже и EPON ONU. Имеет активную площадь Φ70 мкм. Высокая ответственность. Низкий темновой ток. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения Приемник GPON/EPON ONU 2,5 Гбит/с. ЭПОН ОНУ.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
