Введение Этот чип лавинного фотодиода (APD) со скоростью 25 Гбит/с представляет собой разновидность электродной структуры заземления (GS) с размером активной области с верхней подсветкой Φ16 мкм. Характеристики этого продукта — высокое умножение, низкая емкость, высокая пропускная способность, низкий температурный коэффициент и отличная надежность, применение в 25G EPON, 5G Wireless и 100GBASE-ER4. Имеет активную площадь Φ16 мкм. Высокое умножение. Высокая скорость передачи данных: выше 25 Гбит/с. Низкая емкость. Низкий температурный коэффициент. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения 25 Гбит/с PON 100GBASE-ER4 (ER4-lite) Беспроводная связь 5G.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAs, лавинныйМонтаж ПИН-код, чип на носителе
