Этот чип лавинного фотодиода (APD) со скоростью 10 Гбит/с представляет собой разновидность электродной структуры заземления (GS) с размером активной области с верхней подсветкой Φ40 мкм. Характеристики этого продукта — высокое умножение, низкая емкость, высокая пропускная способность, низкий температурный коэффициент и отличная надежность, применение в оптических приемниках 10G SONET/SDH и 10G PON. Имеет активную площадь Φ40 мкм. Высокое умножение. Высокая скорость передачи данных. Низкий температурный коэффициент. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения 10G SONET/SDH 10G PON
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAs, лавинныйМонтаж PIN-код
