Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

InGaAs фотодиод XSJ-10-APD4-80XavalanchePIN

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!

Лавинный фотодиодный чип (APD-чип) — это своего рода активное устройство, обеспечивающее встроенное усиление и усиливающее фототок. Особенности этого продукта: анод сверху и катод сзади, с активной областью с верхней подсветкой диаметром 80 мкм для легкой оптической сборки, высокой чувствительности, высокого коэффициента умножения и низкого темнового тока. Высокопроизводительный чип APD 2,5 Гбит/с и TIA в сочетании с TO-CAN могут повысить чувствительность оптического приемника, приложений, которые обеспечивают передачу данных по современной оптоволоконной сети (FTTH). Имеет активную площадь Φ80 мкм. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с выше. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Применения Безопасный для глаз лазерный дальномер. Оптический рефлектометр во временной области (OTDR). Оптические системы связи.

Технические характеристики

ХарактеристикиТипInGaAs, лавинныйМонтаж PIN-код