Лавинный фотодиодный чип (APD-чип) — это своего рода активное устройство, обеспечивающее встроенное усиление и усиливающее фототок. Особенности этого продукта: анод сверху и катод сзади, размер активной области с верхней подсветкой составляет Φ55 мкм, что обеспечивает простоту оптической сборки, высокую чувствительность, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD 2,5 Гбит/с и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника — приложений, которые обеспечивают передачу данных по современной оптоволоконной сети домой (FTTH). Имеет активную площадь Φ55 мкм. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Отражательная способность
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAs, лавинныйМонтаж PIN-код
