Лавинный фотодиодный чип (APD-чип) — это своего рода активное устройство, обеспечивающее встроенное усиление и усиливающее фототок. Особенности этого продукта: анод сверху и катод сзади, размер активной области с верхней подсветкой составляет Φ50 мкм, что обеспечивает простоту оптической сборки, высокую чувствительность, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD 3,5 Гбит/с и комбинация TIA TO-CAN могут повысить чувствительность оптического приемника, применяемого в передаче по пассивной оптической сети (PON). Имеет активную площадь Φ50 мкм. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Скорость передачи данных до 3,5 Гбит/с выше. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU). Приложения Пассивная оптическая сеть 3,5 Гбит/с (PON).
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAs, лавинныйМонтаж PIN-код
