Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

InGaAs фотодиод XSJ-10-APD3-200XavalanchePIN

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!

Лавинный фотодиод (чип APD) представляет собой своего рода активное устройство, обеспечивающее встроенное усиление и усиливающее фототок. Особенности этого продукта: анод сверху и катод сзади, размер активной области с верхней подсветкой составляет Φ200 мкм, что обеспечивает простоту оптической сборки, высокую чувствительность и низкий темновой ток. Высокопроизводительный пакет микросхем APD 1,25 Гбит/с для однотрубного TO-CAN может повысить чувствительность оптического приемника в приложениях, которые используют OTDR. Имеет активную площадь Φ200 мкм. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Скорость передачи данных до 1,25 Гбит/с выше. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Области применения Оптический рефлектометр во временной области (OTDR). Лазерный дальномер/Измерение расстояний. Пространственное светопропускание. Обнаружение низкого уровня освещенности. Лазерная сигнализация и лидар.

Технические характеристики

ХарактеристикиТипInGaAs, лавинныйМонтаж PIN-код