Чип датчика оптического обнаружения представляет собой фотодиодный чип InGaAs/InP с верхней подсветкой, плоскую структуру, анод спереди, катод сзади, размер квадратной активной области 220 мкм * 220 мкм, с высокой надежностью, низким темновым током и другими характеристиками. , имеет высокий отклик в диапазоне длин волн 131–1550 нм, в основном используется для внутриушного обнаружения TWS. Отличается высокой ответственностью (1000–2600 нм). Низкий темновой ток. Верхняя подсветка. Анод сверху и катод сзади. Квадратная активная область 220×220 мкм. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. Приложения Bluetooth-гарнитура оптическое обнаружение в ухе.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
