Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

Фотодиодная матрица XSJ-10-G6A-35-K4

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!

Каталоги

Для этого продукта каталогов нет.

Просмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.

Технические характеристики

Такая высокая скорость передачи данных Фотодиодный чип PAM-4 4X28 Гбит/с/4X56 Гбит/с представляет собой структуру PIN-матрицы 1×4 с верхней подсветкой GaAs. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость и низкий темновой ток, размер активной области Φ35 мкм, сигнальная и обе площадки заземления расположены на верхней части чипа для облегчения проводного соединения, применение в оптической связи данных ближнего действия 850 нм 4X28 Гбит/с/4X56 Гбит/с PAM-4. . Имеет активную площадь Φ35 мкм. Низкая емкость. Низкий темновой ток. Высокая ответственность. Скорость передачи данных: до 28 Гбит/с и выше на канал. Конструкция контактной площадки Земля-Сигнал-Земля. Шаг кристалла: 250 мкм. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям, указанным Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения Приемопередатчик передачи данных. Параллельная многомодовая оптоволоконная связь.