Каталоги
Для этого продукта каталогов нет.
Просмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.
Технические характеристики
Этот фотодиодный чип со скоростью 56 ГБод , который представляет собой фотодиод PIN с подсветкой и меза-структурой с высокой скоростью передачи данных, размер активной области составляет Φ16 мкм. Его характеристики имеют высокую чувствительность, низкую емкость, низкий темновой ток и превосходную надежность, в основном в сочетании с малошумящими трансимпедансными усилителями (TIA), применяемыми для передачи данных в центрах обработки данных 4X56GBuad PAM 4 и 100 Gigabit Ethernet. Имеет активную площадь Φ16 мкм. Структура контактной площадки Земля-Сигнал-Земля (GSG) сверху. Низкий темновой ток. Низкая емкость. Высокая ответственность. Пропускная способность: ≥35 ГГц (с TIA). Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения 4X56GBuad PAM-4. 100-гигабитный Ethernet.
