SRAM CY7C1069G30-10ZSXI.
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Количество Выводов | 54вывод(-ов) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3 — 168 часов |
Диапазон Напряжения Питания | 2.2В до 3.6В |
Время Доступа | 10нс |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
Размер Памяти | 16Мбит |
Конфигурация Памяти SRAM | 2М x 8бит |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Стат. ОЗУ |
Напряжение питания — макс. | 110 mA, 3.6 V |
Напряжение питания — мин. | 2.2 V |
Организация | 2 M x 8 |
Подкатегория | Memory Data Storage |
Размер фабричной упаковки | 108 |
Серия | CY7C1069 |
Тип | Asynchronous |
Тип интерфейса | Parallel |
Тип памяти | Volatile |
Тип продукта | SRAM |
Торговая марка | Cypress Semiconductor |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | TSOP-54 |
Чувствительный к влажности | Yes |
Automotive | No |
Chip Density (bit) | 16M |
Data Rate Architecture | SDR |
ECCN (US) | 3A991b.2.a. |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Max. Access Time (ns) | 10 |
Maximum Operating Supply Voltage (V) | 3.6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
Minimum Operating Supply Voltage (V) | 2.2 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Bits/Word (bit) | 8 |
Number of Ports | 1 |
Number of Words | 2M |
Operating Current (mA) | 110 |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
PCB changed | 54 |
Pin Count | 54 |
PPAP | No |
Process Technology | 65nm, CMOS |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | TSOP-II |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Timing Type | Asynchronous |
Typical Operating Supply Voltage (V) | 3.3|2.5 |
Вес, г | 0.14 |