Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

CLF1G0035S-200PU - RF Power Transistor from Ampleon

RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 200W, 10 dB, 50V, SOT1228B, GaN

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: CLF1G0035S-200PU TME арт.: CLF1G0035S-200PU

Untitled 1

The CLF1G0035-200P and CLF1G0035S-200P are 200 W general purpose broadband GaN HEMTs usable from DC to 3.5 GHz.





Features and benefits

  • Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz
  • 200 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT
  • Excellent ruggedness (VSWR = 10 : 1)
  • High voltage operation (50 V)
  • Thermally enhanced package

Applications:

  • Commercial wireless infrastructure (cellular, WiMAX)
  • Industrial, scientific, medical
  • Radar
  • Jammers
  • Broadband general purpose amplifier
  • EMC testing
  • Public mobile radios
  • Defense application

Технические характеристики

Part Number: CLF1G0035S-200PU
Manufacturer: Ampleon
Export Status:
Frequency Min: 0 GHz
Frequency Max: 3.5 GHz
Output Power: 200 W
Gain: 10 dB
% Typ Efficiency: 48
Supply Voltage: 50 V
Id: 300 mA
Package: SOT1228B
Process: GaN
Type: RF Power Discrete Transistors