Статус — массовое производство (предпочтительно) Индуктивность — 4,7 мкГн ± 20 % Размер корпуса (EIA/JIS) — 1008/2520 Ток насыщения (макс.) — 1,6 А (⊿L=30%) Ток насыщения (типовой) — 1,8 А (⊿ L=30%) Ток повышения температуры (макс.) — 1,5 А (⊿T=40℃) Ток повышения температуры (тип.) — 1,6 А (⊿T=40℃) Сопротивление постоянному току (макс.) — 0,24 Ом Сопротивление постоянному току (типичное) — Частота измерения LQ 0,215 Ом — Рабочая температура 1 МГц. Диапазон — от -40 до +125 ℃ (включая самогенерируемое тепло) Температурная характеристика (изменение индуктивности) — ± 15 % Размер L — 2,5 ±0,2 мм Размер W — 2,0 ±0,2 мм Размер T — Макс. 1,0 мм Размер e — 0,65 ±0,3 мм Соответствие RoHS (10 заменителей) — Да Соответствие REACH (223 заменителей) — Да Соответствие IEC62474 (версия D24.00) — Да Без галогенов — Да Пайка — Оплавление Использование металлических магнитных материалов с превосходными характеристиками смещения постоянного тока Низкие потери в сердечнике. Низкий Rdc. Основные области применения. Подходит для защиты от помех в цепи питания смартфона, планшетного ПК, различного коммуникационного оборудования и т. д.
Технические характеристики
ХарактеристикиТехнологиячипЭлектрические характеристикиМощность КонфигурацияSMD, многослойнаяПервичный ток
1,4 А
Макс.: 1,5 А
Мин.: 0 А
