Статус — массовое производство (предпочтительно) Индуктивность — 2,2 мкГн ± 20 % Размер корпуса (EIA/JIS) — 1008/2520 Ток насыщения (макс.) — 3,1 А (⊿L=30%) Ток насыщения (типовой) — 3,5 А (⊿ L=30%) Ток повышения температуры (макс.) — 2,4 А (⊿T=40℃) Ток повышения температуры (тип.) — 2,6 А (⊿T=40℃) Сопротивление постоянному току (макс.) — 97 мОм Сопротивление постоянному току (типичное) — Измерительная частота LQ 85 мОм — Рабочая температура 1 МГц. Диапазон — от -40 до +125 ℃ (включая самогенерируемое тепло) Температурная характеристика (изменение индуктивности) — ± 15 % Размер L — 2,5 ±0,2 мм Размер W — 2,0 ±0,2 мм Размер T — Макс. 1,0 мм Размер e — 0,65 ±0,3 мм Соответствие RoHS (10 заменителей) — Да Соответствие REACH (223 заменителей) — Да Соответствие IEC62474 (версия D24.00) — Да Без галогенов — Да Пайка — Оплавление Использование металлических магнитных материалов с превосходными характеристиками смещения постоянного тока Низкие потери в сердечнике. Низкий Rdc. Основные области применения. Подходит для защиты от помех в цепи питания смартфона, планшетного ПК, различного коммуникационного оборудования и т. д.
Технические характеристики
ХарактеристикиТехнологиячип, проволочная обмоткаЭлектрические характеристики силовые высокочастотныеНастройкаSMDПрименениедля DC/DC преобразователейПервичный ток
Макс.: 2,4 А
Мин.: 0 А
