Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

Чип-индуктор LSENC2016KKT2R2Mwire-woundpowerSMD

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: ЛСЕНЦ2016ККТ2Р2М TME арт.: ЛСЕНЦ2016ККТ2Р2М

Статус технических характеристик — массовое производство (предпочтительно) Индуктивность — 2,2 мкГн ± 20 % Размер корпуса (EIA/JIS) — 0806/2016 Ток насыщения (макс.) — 2,4 А (⊿L=30%) Ток насыщения (тип.) — 2,6 А ( ⊿L=30%) Ток повышения температуры (макс.) — 1,9 А (⊿T=40℃) Ток повышения температуры (тип.) — 2,1 А (⊿T=40℃) Сопротивление постоянному току (макс.) — 0,15 Ом Сопротивление постоянному току (тип.) ) — 0,13 Ом Частота измерения LQ — 1 МГц Рабочая температура. Диапазон — от -40 до +125 ℃ (включая самогенерируемое тепло) Температурная характеристика (изменение индуктивности) — ± 15 % Размер L — 2,0 ±0,2 мм Размер W — 1,6 ±0,2 мм Размер T — Макс. 1,0 мм Размер e — 0,5 ±0,3 мм Соответствие RoHS (10 заменителей) — Да Соответствие REACH (223 заменителей) — Да Соответствие IEC62474 (версия D24.00) — Да Без галогенов — Да Пайка — Оплавление Использование металлических магнитных материалов с превосходными характеристиками смещения постоянного тока Низкие потери в сердечнике. Низкий Rdc. Основные области применения. Подходит для защиты от помех в цепи питания смартфона, планшетного ПК, различного коммуникационного оборудования и т. д.

Технические характеристики

ХарактеристикиТехнологиячип, проволочная обмоткаЭлектрические характеристики питаниеКонфигурацияSMDПрименениедля преобразователей постоянного тока в постоянныйПервичный ток

Мин.: 0 А

Макс.: 1,9 А