фото транзисторы BPV11F.
| Количество каналов | 1 |
| Максимальная определяемая длина волны | 980нм |
| Типичное время нарастания | 6мкс |
| Размеры | 5.75 x 5.75 x 8.6мм |
| Производитель | Vishay |
| Длина | 5.75мм |
| Тип корпуса | 5 мм (T-1 3/4) |
| Высота | 8.6мм |
| Ток коллектора | 50mA |
| Ширина | 5.75мм |
| Полярность | NPN |
| Минимальная определяемая длина волны | 900Нм |
| Количество контактов | 2 |
| Максимальный темновой ток | 50нА |
| Максимальный ток освещения | 9000мкА |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Спектральный диапазон чувствительности | 900 → 980 нм |
| Типичное время затухания | 5мкс |
| Угол половинной чувствительности | 30° |
| Spectrums Detected | Инфракрасный |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.40.80.00 |
| Type | IR Chip |
| Phototransistor Type | Phototransistor |
| Lens Shape Type | Domed |
| Material | Silicon |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Polarity | NPN |
| Half Intensity Angle Degrees (°) | 30 |
| Viewing Orientation | Top View |
| Peak Wavelength (nm) | 930 |
| Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
| Maximum Light Current (uA) | 9000(Typ) |
| Maximum Collector Current (mA) | 50 |
| Maximum Dark Current (nA) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Fabrication Technology | NPN Transistor |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Standard Package Name | T-1 3/4 |
| Pin Count | 2 |
| Supplier Package | T-1 3/4 |
| Diameter | 5.75 |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 8.6 |
| PCB changed | 2 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | T-1 3/4(5mm) |
| Типичное Значение Длины Волны | 930нм |
| Угол Обзора | 15 |
| Энергопотребление | 150мВт |
