Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

BLF6G22LS-100,112 - RF Power Transistor from Ampleon

RF Power Transistor, 2.11 to 2.17 GHz, 100 W, 18.2 dB, 28 V, LDMOS, SOT-502B

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.

Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.

Цена может измениться после запроса у поставщика!

Артикул: BLF6G22LS-100,112 TME арт.: BLF6G22LS-100,112

Технические характеристики

Part Number: BLF6G22LS-100,112

Manufacturer: Ampleon

Frequency Min: 2.11 GHz

Frequency Max: 2.17 GHz

Output Power: 100 W

Gain: 18.2 dB

% Typ Efficiency: 29

Supply Voltage: 28 V

Id: 950 mA

Package: SOT-502B

Process: LDMOS

Type: RF Power Discrete Transistors