Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

BLF6G10LS-200RN:11 - RF Power Transistor from Ampleon

18 900 

RF Power Transistor, 0.86 to 0.89 GHz, 200 W, 20 dB, 28 V, LDMOS, SOT-502B

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: BLF6G10LS-200RN:11 TME арт.: BLF6G10LS-200RN:11

Технические характеристики

Part Number: BLF6G10LS-200RN:11
Manufacturer: Ampleon
Frequency Min: 0.86 GHz
Frequency Max: 0.89 GHz
Output Power: 200 W
Gain: 20 dB
% Typ Efficiency: 28.5
Supply Voltage: 28 V
Id: 1400 mA
Package: SOT-502B
Process: LDMOS
Type: RF Power Discrete Transistors