Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

BLF177,112 - RF Power Transistor from Ampleon

RF Power Transistor, 0.005 to 0.03 GHz, 150 W, 20 dB, 50 V, VDMOS, SOT-121B

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: BLF177,112 TME арт.: BLF177,112

<!— made by www.metatags.org —BLF177

Ampleon’s Silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT121B flanged package, with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

Features and benefits

  • High power gain
  • Easy power control
  • Good thermal stability
  • Withstands full load mismatch.

Applications

  • Designed for industrial and military applications in the HF/VHF frequency range.

Технические характеристики

[wpie_function custom_function=»cleanerall» data=»
Part Number: BLF177,112
Manufacturer: Ampleon
Frequency Min: 0.005 GHz
Frequency Max: 0.03 GHz
Output Power: 150 W
Gain: 20 dB
% Typ Efficiency: 35
Supply Voltage: 50 V
Id: 700 mA
Package: SOT-121B
Process: VDMOS
Type: RF Power Discrete Transistors

«]