Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей
Оптовые цены
КоличествоЦена/шт (руб.)
1115 руб.
10100 руб.
10074 руб.
50059 руб.
100050 руб.
300050 руб.

BFU760F,115 (ВЧ биполярные транзисторы)

96 

Купить BFU760F,115 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 358788 шт.

Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: BFU760F,115 Mouser арт.: 771-BFU760F115TME арт.: BFU760F,115
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.21.00.75
TypeNPN
MaterialSiGe
ConfigurationSingle Dual Emitter
Number of Elements per Chip1
Maximum Collector Base Voltage (V)10
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)2.8
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)<20
Maximum Emitter Base Voltage (V)1
Maximum DC Collector Current (A)0.07
Maximum DC Collector Current Range (A)0.06 to 0.12
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Operational Bias Conditions2.5V/50mA
Minimum DC Current Gain155@10mA@2V
Minimum DC Current Gain Range120 to 200
Typical Input Capacitance (pF)1.045
Typical Output Capacitance (pF)0.175
Maximum Power Dissipation (mW)220
Maximum Power 1dB Compression (dBm)18.5(Typ)
Typical Power Gain (dB)25.5
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm)33(Typ)
Maximum Transition Frequency (MHz)45000(Typ)
Maximum Noise Figure (dB)0.75(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Operating Temperature (°C)150
PackagingTape and Reel
AutomotiveNo
Standard Package NameDFP
Pin Count4
Supplier PackageDFP
MilitaryNo
MountingSurface Mount
Package Height0.75(Max)
Package Length2.2(Max)
Package Width1.35(Max)
PCB changed3
TabTab
Pd — рассеивание мощности:220 mW
Вид монтажа:SMD/SMT
Другие названия товара №:934064615115
Категория продукта:РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):155
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:2.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):1 V
Непрерывный коллекторный ток:70 mA
Подкатегория:Transistors
Производитель:NXP
Рабочая частота:45 GHz
Размер фабричной упаковки:3000
Технология:SiGe
Тип продукта:RF Bipolar Transistors
Тип транзистора:Bipolar
Тип:RF Silicon Germanium
Торговая марка:NXP Semiconductors
Упаковка / блок:SOT-343