| Pd — рассеивание мощности | 160 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 11.7 dBm |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 205 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 10 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Рабочая частота | 53 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Технология | SiGe |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-883C-3 |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Material | Si |
| Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm) | 25.5(Typ) |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 10 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 3 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.03 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.001 to 0.06 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Noise Figure (dB) | 0.75(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power 1dB Compression (dBm) | 11.7(Typ) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 160 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 53000(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 205 2mA 2V |
| Minimum DC Current Gain Range | 200 to 300 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | DFN_C |
| Type | NPN |
| Typical Input Capacitance (pF) | 0.31 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 0.084 |
| Typical Power Gain (dB) | 24.5 |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 1 | 126 руб. |
| 10 | 107 руб. |
| 100 | 80 руб. |
| 500 | 64 руб. |
| 1000 | 54 руб. |
| 10000 | 54 руб. |
BFU730LXZ (ВЧ биполярные транзисторы)
105 ₽
Купить BFU730LXZ от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 18368 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
