| Pd — рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 90 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 5.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 21 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-343F |
| Automotive | No |
| Configuration | Single Dual Emitter |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm) | 27.5(Typ) |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 16 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 5.5 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.03 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.001 to 0.06 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Noise Figure (dB) | 1.3(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power 1dB Compression (dBm) | 12.5(Typ) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 21000(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 90 5mA 2V |
| Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operational Bias Conditions | 2.5V/30mA |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Standard Package Name | DFP |
| Supplier Package | DFP |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Typical Input Capacitance (pF) | 0.332 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 0.047 |
| Typical Power Gain (dB) | 27 |
| Вес, г | 0.01 |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 1 | 156 руб. |
| 10 | 137 руб. |
| 100 | 104 руб. |
| 500 | 83 руб. |
| 1000 | 78 руб. |
| 3000 | 78 руб. |
BFU630F,115 (ВЧ биполярные транзисторы)
130 ₽
Купить BFU630F,115 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 25447 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
