| Pd — рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 130 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 24 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 11 GHz |
| Рабочая частота | 900 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | Wideband RF Transistor |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Automotive | Yes |
| Configuration | Single Dual Emitter |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm) | 25(Typ) |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1(Typ) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 16 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.12 to 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 3 |
| Maximum Noise Figure (dB) | 1.4(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power 1dB Compression (dBm) | 15.5(Typ) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 11000(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 60 30mA 8V |
| Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operational Bias Conditions | 8V/30mA |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | Yes |
| Standard Package Name | SC |
| Supplier Package | SC-73 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Typical Input Capacitance (pF) | 1.5 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 1.1 |
| Typical Power Gain (dB) | 22.5 |
| Вес, г | 0.3 |
BFU580GX (ВЧ биполярные транзисторы)
177 ₽
123
Купить BFU580GX от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 20000 шт.
BFU580GX BFU580GX (ВЧ биполярные транзисторы) — товар из ассортимента Laserzz для подбора и поставки под задачи ремонта и комплектации.
Позиция подходит для сценариев замены и закупки под конкретную спецификацию оборудования.
Текущая цена в карточке: 177 ₽. Для партий и регулярных закупок условия уточняются отдельно.
Для корректного выбора сверяйте маркировку, параметры и совместимость с вашей схемой/узлом.
Вопросы и ответы
Как проверить совместимость товара?
Сравните артикул, технические параметры и формат исполнения с требованиями вашей модели оборудования.
Можно ли заказать партию?
Да, для партийных закупок доступны отдельные условия, ориентируйтесь на количество и сроки поставки.
