Система травления проводников серии M-8000 используется для травления твердых масок и кремния при длине волны 32 нм и более. Компания Hitachi High-Tech разработала новые технологические процессы, такие как двойное формирование рисунка и новые процессы травления материалов, такие как диэлектрик / металлический затвор high-k, в рамках JDP (Программа совместных разработок) с производителями устройств и поставщиками материалов/инструментов. Система травления Hitachi High-Tech обеспечивает превосходную управляемость профиля и однородность CD внутри пластины благодаря новой микроволновой камере плазменного травления ECR (электронно-циклотронного резонанса), высокоскоростному контролю температуры пластины и технологии контроля выхлопа в высоком вакууме. Технология AEC (Advanced Equipment Control)/APC (Advanced Process Control) компании Hitachi High-Tech с оригинальными системами сбора, анализа и управления данными обеспечивает превосходную производительность и надежность. Применимый диаметр пластины: 300 мм. Конфигурация системы: 4 камеры (макс.).
Технические характеристики
ХарактеристикиТипплазмаПрименениедля микроэлектронная промышленность
