| Id — непрерывный ток утечки | 1.8 A |
| Pd — рассеивание мощности | 741 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 0.5 V, 65 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 150 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 2700 MHz to 3100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | AFT31150N |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | OM-780-2L |
| Усиление | 17 dB |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 50 | 65 953 руб. |
AFT31150NR5 (ВЧ МОП-транзисторы)
54 961 ₽
Купить AFT31150NR5 от 50 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 0 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
