| Id — непрерывный ток утечки | 132 mA |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 500 mV, 65 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 11 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 1.5 W |
| Другие названия товара № | 935314968528 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 100 MHz to 3.6 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | AFT20S015N |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-270-2 |
| Усиление | 17.6 dB |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Вес, г | 0.3 |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 1 | 5 731 руб. |
| 10 | 5 603 руб. |
| 500 | 5 600 руб. |
AFT20S015GNR1 (ВЧ МОП-транзисторы)
4 776 ₽
Купить AFT20S015GNR1 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 24 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
