ВЧ МОП-транзисторы AFT09MS007NT1.
| Pd — рассеивание мощности | 114 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 400 mV, 30 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 6 V, 12 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 7.3 W |
| Другие названия товара № | 935318254515 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 870 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | PLD-1.5 |
| Усиление | 15.2 dB |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Вес, г | 0.28 |
