Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

A3T21H360W23SR6 - RF Power Transistor from NXP

RF Power Transistor, 2.11 to 2.2 GHz, 56 W Avg., Typ Gain in dB is 16.4 @ 2110 MHz, 28 V, SOT1800-4, LDMOS

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: A3T21H360W23SR6 TME арт.: A3T21H360W23SR6

Технические характеристики

Part Number: A3T21H360W23SR6
Manufacturer: NXP
Frequency Min: 2.11 GHz
Frequency Max: 2.2 GHz
Output Power: 56 W
Gain: 16.4 dB
% Typ Efficiency: 52
Supply Voltage: 28 V
Package: SOT1800-4
Process: LDMOS
Avg Power: 56 W
Type: RF Power Discrete Transistors