Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

A2T18S166W12SR3 - RF Power Transistor from NXP

RF Power Transistor, 1.805 to 1.995 GHz, 158 W, Typ Gain in dB is 18.1 @1840 MHz, 28 V, SOT1785-1, LDMOS

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: A2T18S166W12SR3 TME арт.: A2T18S166W12SR3

Технические характеристики

Part Number: A2T18S166W12SR3
Manufacturer: NXP
Frequency Min: 1.805 GHz
Frequency Max: 1.995 GHz
Output Power: 158 W
Gain: 18.1 dB
% Typ Efficiency: 34.4
Supply Voltage: 28 V
Package: SOT1785-1
Process: LDMOS
Avg Power: 38 W
Type: RF Power Discrete Transistors