Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

A2T09VD250NR1 — силовой ВЧ-транзистор от NXP

Силовой ВЧ-транзистор, от 0,716 до 0,96 ГГц, средняя мощность 65 Вт, тип. Усиление в дБ составляет 22,5 при 920 МГц, 48 В, SOT1740-1, LDMOS.

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: A2T09VD250NR1 TME арт.: A2T09VD250NR1

Технические характеристики

Номер детали: A2T09VD250NR1
Производитель: NXP
Мин. частота: 0,716 ГГц
Макс. частота: 0,96 ГГц
Выходная мощность: 65 Вт
Усиление: 22,5 дБ
% Типовой КПД: 34,8
Напряжение питания: 48 В
Пакет: SOT1740-1
Процесс: LDMOS
Средняя мощность: 65 Вт
Тип: ВЧ-мощные дискретные транзисторы