Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей
Оптовые цены
КоличествоЦена/шт (.руб)
5 шт.30013.9₽

2735ГН-100М (ФЕТЦ РФ ГАН 150В 2,7-3,5ГГц 55QP)

30 014 

Купить 2735GN-100M от 1 шт в Москве. Производитель MICROSEMI.
В наличии на складе 223 шт.

Доставка импортных компонентов Microsemi по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: 2735GN-100M TME арт.: 2735GN-100M

Технические характеристики

Номер детали2735GN-100MПроизводительMicrosemi
ОписаниеFETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QPСтатус без свинца / Статус RoHSБез свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество223 шт. на складеТехнический паспорт2735GN-100M.pdf
Напряжение — номинальное150 ВНапряжение — выходное110 Вт
Напряжение — разбивка55QPСерия
Статус RoHSБольшая частьПоляризация55QP
Коэффициент шума60VУровень чувствительности к влаге (MSL )1 (неограничено)
Номер детали производителя2735GN-100MЧастота2,7 ГГц ~ 3,5 ГГц
Тип полевого транзистора11 дБ ~ 11,4 дБРасширенное описание RF Mosfet 2 N-канальный (двойной) с общим источником 60 В 250 мА 2,7 ГГц ~ 3,5 ГГц 11 дБ ~ 11,4 дБ 110 Вт 55QP
Напряжение привода (макс. Rds On, Min Rds On)250 мАОписаниеFETS RF GAN 150 В, 2,7–3,5 ГГц, 55QP
Номинальный ток2,5 мАТок — тест
Ток — коллектор (Ic) (макс.)2 N-канальных (двойных) общего источника