Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей
Оптовые цены
КоличествоЦена/шт (.руб)
5 шт.26825.05₽

2731ГН-110М (ФЕТЦ РФ ГАН 150В 2.7-3.1ГГц 55QP)

26 825 

Купить 2731GN-110M от 1 шт в Москве. Производитель MICROSEMI.
В наличии на складе 206 шт.

Доставка импортных компонентов Microsemi по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: 2731GN-110M TME арт.: 2731GN-110M

Технические характеристики

Номер детали2731GN-110MПроизводительMicrosemi
ОписаниеFETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QPСтатус без свинца / Статус RoHSБез свинца / соответствует RoHS
Доступное количество206 шт. на складеТехнический паспорт2731GN-110M.pdf
Напряжение — номинальное150 ВНапряжение — выходное125 Вт
Напряжение — разбивка55QPСерия
Статус RoHSБольшая частьПоляризация55QP
Коэффициент шума60VУровень чувствительности к влаге (MSL )1 (неограничено)
Номер детали производителя2731GN-110MЧастота2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц
Тип полевого транзистора11,7 дБ ~ 12,2 дБРасширенное описаниеRF Mosfet 2 N-канальный (двойной) с общим источником 60 В 250 мА 2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц 11,7 дБ ~ 12,2 дБ 125 Вт 55QP
Напряжение привода (макс. Rds On, Min Rds On)250 мАОписаниеFETS RF GAN 150 В 2,7–3,1 ГГц 55QP
Номинальный ток2,5 мАТок — тест
Ток — коллектор (Ic) (макс.)2 N-канальных (двойных) общего источника